HY5608W دیتاشیت

HY5608W

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت HY5608W
حجم فایل 52.987 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت HY5608W

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: HUAYI HY5608W
  • Operating Temperature: +175°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 500W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 365nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 80V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 14.715nF@25V
  • Continuous Drain Current (Id): 360A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 3V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 853pF@25V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 1.5mΩ@10V,180A
  • Package: TO-247
  • Manufacturer: HUAYI

محصولات مشابه